| PART |
Description |
Maker |
| SFH4547 Q65111A1141 |
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4246 |
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH426 SFH421 Q62703-P0331 Q62702-P1055 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package 发动器红外光在SMT Lumineszenzdiode，在SMT Geh锓包GaAlA红外发射
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in 3.0 SMT-Gehuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package
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SIEMENS AG
Infineon
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| SFH40912 Q62702P1002 Q62702P0860 |
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
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OSRAM GmbH
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| SFH40903 SFH409 SFH409-2 |
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
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OSRAM GmbH
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| Q62703Q6175 Q62703Q1094 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)
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OSRAM GmbH
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| Q65111A0128 SFH4250S |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH435012 Q65110A2091 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4209 |
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter
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OSRAM GmbH
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| Q65111A1158 Q65111A1159 SFH4259S SFH4258S |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| Q65110A2741 SFH722112 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) und Si-Fototransistor
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) und Si-Fototransistor
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OSRAM GmbH
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| OED-EL2350W |
19.05 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 940 nm
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Lumex, Inc.
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